ICPエッチング装置

　

　本装置は，誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）と呼ばれる高密度プラズマを利用したエッチング装置です。シリコン基板を，高い異方性を持って，高速（10μm/min以上）・高精度に加工できる装置であり，基板上に微細な機械素子（マイクロマシン）を三次元的に加工することが可能となります。また，高いアスペクト比を有するエッチングに優れており，シリコン基板への微細な貫通孔作製も可能です。

MUC-21